收藏本站
IRF6668
1000
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
100
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
6.0V
10
6.0V
10
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
VDS = 10V
≤ 60μs PULSE WIDTH
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Output Characteristics
2.0
I D = 12A
VGS = 10V
100
1.5
10
T J= 150°C
T J= 25°C
T J= -40°C
1.0
1
0.1
0.5
2
4
6
8
10
12
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 4. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 5. Normalized On-Resistance vs. Temperature
10000
1000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = Cgs + Cgd,  Cds SHORTED
C rss   = C gd
C oss  = C ds + C gd
Ciss
12.0
10.0
8.0
ID= 12A
VDS= 64V
VDS= 40V
Coss
6.0
100
10
Crss
4.0
2.0
0.0
1
10
100
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 6. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
4
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Typical Total Gate Charge vs
Gate-to-Source Voltage
www.irf.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF710STRLPBF MOSFET N-CH 400V 2.0A D2PAK
IRF7201TR MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
IRF7204 MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
IRF7207TR MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
IRF720 MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
IRF7220 MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
IRF7233TR MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
IRF730ASTRRPBF MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
相关代理商/技术参数
IRF6668TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 80V 55A 15mOhm 22nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6668TRBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET
IRF6668TRPBF 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6674TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 67A 11.2mOhm 25nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6674TRPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6674TRPBF_08 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFETPower MOSFET
IRF6678 功能描述:MOSFET 30V N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6678PBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET